3.Pamäťový Podsystém

                                               Pamäťový Podsystém

Pamäť je súčiastka, zariadenie alebo materiál, ktorý umožňuje uložiť obsah informácie (zápis do pamäte), uchovať ju na požadovanú dobu a znovu ju získať pre ďalšie použitie (čítanie pamäte). Informácia je zvyčajne vyjadrená ako číselná hodnota, alebo je nositeľom informácie modulovaný analógový signál. Pre svoje vlastnosti sa používa binárna (dvojková) číselná sústava. Pre uchovanie informácie teda stačí signál (napr. elektrické napätie), ktorý má dva rozlíšiteľné stavy a nie je potrebné presne poznať veľkosť signálu.

Základnou jednotkou ukladanej informácie je jeden bit, jedna dvojková číslica. Táto číslica môže nadobúdať dve hodnoty, ktoré nazývame "logická nula" a "logická jednička".

Požiadavky na pamäť:

Vysoká kapacita

Vysoká rýchlosť

Cena

Parametre pamäti:

1.Kapacita- množstvo uchovávanej informacie,udava sa v bitoch alebo v bajtoch a ich násobkoch.

2.Rychlosť- udáva sa ako

a) vybavovacia doba - časový interval ktorý trvá dovtedy kým sa požadovaná informácia neobjaví na výstupe.

b) cyklus pamäte        - minimálny časový interval medzi dvoma po sebe idúcimi požiadavkami na činnosť pamäte

3.Cena za bit= Celková cena pamäte/počet bitov

4.Energetická závislosť- schopnosť uchovávať informáciu aj po odpojení.

Pamäť s rôznych hľadísk –

a) podľa spôsobu výberu - s výberom podľa adresy

                                               - s výberom podľa obsahu

                                               - špeciálny výber

b) podľa polohy k procesoru  - vnútorné

                                                       - vonkajšie

                                              

c) podľa technológie  - bipolárne (TR)

                                         - unipolárné(DMOS,CMOS)

d)podľa energetickej náročnosti - závislá RWM

                                                              - nezávislá ROM

Pamäť typu ROM- Energetická nezávislosť – sú to pamäte s adresným výberom RAM. Jednoduchá konštrukcia, nízka spotreba, vysoká rýchlosť čítania, vysoká spoľahlivosť. Sú programované u výrobcu obsah môže byť štandardný alebo zákaznícky

Pamäť typu RWM-

SRAM- vysoká rýchlosť, jednoduché riadenie, vysoká spotreba, mala kapacita. Využíva sa ako pamäť cache L2.

DRAM- Hodnota zaznamenávanej informácie je daná prítomnosťou alebo neprítomnosťou náboja na parazitnej kapacite riadiacej elektródy tranzistora.

Náboj sa po čase stráca, je nutne ho obnovovať v rotovacích cykloch. Na rozdiel od SRAM majú menšiu Rýchlosť , spotrebu, vyššiu kapacitu, zložitejšie riadenie.

Vonkajšie veľkokapacitné pamäte- magnetické

                                                                -optické